TPH1R306PL,L1Q دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
TPH1R306PL,L1Q
|
|
حجم فایل
|
51.401
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TPH1R306PL,L1Q
-
Power Dissipation (Pd):
960mW;170W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
91nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
8100pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@1mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.34mΩ@50A,10V
-
Package:
SOP-8
-
Manufacturer:
TOSHIBA
